Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Fiche technique
6.683En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A, 60 A 4.7 mOhms, 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 18 nC, 44.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W, 32.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
Fiche technique
6.000En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A, 40 A 9.5 mOhms, 5.1 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 19 nC, 35 nC - 55 C + 150 C 16.7 W, 31 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel