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NTH4L070N120M3S

Name: onsemi NTH4L070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L070N120M3S
Price: 7.97 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTH4L070N120M3S

N° de fab. :

NTH4L070N120M3S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

Fiche technique:

NTH4L070N120M3S Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	37 A
Rds On - Résistance drain-source:	91 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.4 V
Qg - Charge de grille:	49 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	252 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	9 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	12 ns
Série:	NTH4L070N120M3S
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	10 ns

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Fiche technique

NTH4L070N120M3S Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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