MOSFET à mode d'amélioration à canal N double DMT47M2LDVQ

Le MOSFET à enrichissement à canal double N DMT47M2LDVQ de Diodes Inc. est un MOSFET 40 V avec un faible RDS (ON) qui minimise les pertes à l’état passant. Ce composant offre une faible capacité d’entrée et une vitesse de commutation élevée. Le MOSFET DMT47M2LDVQ de Diodes Inc. est conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il est homologué AEC-Q101 et pris en charge par un PHPP.

Résultats: 4
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
Fiche technique
1.670En stock
2.00020/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
Fiche technique
84.000Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape