P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Central Semiconductor P-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low rDS(ON) and low threshold voltage. CMUDM8004 and CMUDM8005 ULTRAmini™ MOSFETs, CMLDM8005 PICOmini™, and CMNDM8001 FEMTOmini™ devices are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. Central Semiconductor CMUDM8004 / CMUDM8005 and CMNDM8001 MOSFETs are manufactured by the P-channel DMOS process. CMLDM8005 features 350mW power dissipation.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Central Semiconductor MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet 2.417En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 2 Channel 20 V 650 mA 360 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 nC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet 101.701Stock usine disponible
Min. : 8.000
Mult. : 8.000
Bobine: 8.000

Si 2.4 Ohms Reel