Transistors discrets H7 IGBT7 TRENCHSTOP™ 650 V

Les transistors discrets IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 650 V d'Infineon Technologies disposent d’une technologie de pointe, répondant à la demande d’applications énergétiques efficaces. Les transistors 650 V d'Infineon Technologies disposent d’une conception de tranchée à micro-motifs de pointe pour un contrôle précis et de hautes performances. La conception se traduit par une réduction significative des pertes, un rendement amélioré et une densité de puissance améliorée dans divers secteurs tels que les onduleurs à chaîne, les systèmes de stockage d’énergie (ESS), la charge des véhicules électriques, les onduleurs industriels et la soudure.