Modules série B PrimePACK™3+

Les modules série B PrimePACK™3+ Infineon Technologies sont conçus avec un IGBT5 à tranchée/Fieldstop et 5 diodes contrôlées par émetteur. Ils se caractérisent par une température de fonctionnement étendue, une capacité de court-circuit élevée et une robustesse imbattable. Les modules PrimePACK™3+ offrent un dégagement dans l'air et des lignes de fuite élevés, une capacité de cycle thermique et une puissance élevées, et une densité de puissance supérieure. Ces modules sont parfaits pour une utilisation dans les convertisseurs à haute puissance, les entraînements de moteurs, les équipements solaires, les alimentations sans interruption, les entraînements de traction et les éoliennes.

Résultats: 6
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Package/Boîte Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module 2En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 6En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 1500 A dual IGBT module 8En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module 5En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module 2En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT PP IHM I Délai de livraison 13 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 1.2 kV 1.7 V 1.8 kA 400 nA 250 mm x 89 mm - 40 C + 175 C Tray