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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET TO262 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
863En stock
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Si Through Hole TO-262-3 Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
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2.520En stock
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
12.569En stock
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
Fiche technique
1.254En stock
MouseReel disponible
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
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4.990En stock
4.000Sur commande
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO252 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
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2.232En stock
Min. : 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO262 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
4.950En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
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3.122En stock
Min. : 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
3.918En stock
Min. : 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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1.280En stock
MouseReel disponible
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
607En stock
MouseReel disponible
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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878En stock
1.00011/12/2026 attendu
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
235En stock
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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9.900Sur commande
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
Fiche technique
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Min. : 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel