MOSFET et diodes au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET et diodes 1 200 V au carbure de silicium (SiC) de Wolfspeed créent une combinaison puissante à plus haut rendement dans les applications exigeantes. Ces MOSFET et diodes Schottky sont conçus pour être utilisés dans les applications à haute puissance. Les MOSFET au SiC de 1 200 V présentent une R_ds(on) stable en cas de surchauffe et une certaine robustesse face aux d'avalanches. Ces MOSFET sont des diodes de corps robustes qui ne nécessitent pas de diodes externes et sont plus faciles à piloter car elles offrent un pilote de grille de 15 V. Les MOSFET au SiC de 1 200 V ont un rendement amélioré au niveau du système avec de moindres pertes de commutation et de conduction et une densité améliorée de puissance au niveau du système.