CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
Fiche technique
902En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Fiche technique
640En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT
Fiche technique
350En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440223 N-Channel 125 V 18 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 150 W
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Fiche technique
81530/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
Fiche technique
32En stock
6027/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440224 N-Channel 120 V 12 A - 3.8 V - 40 C + 150 C