MOSFET à canal P RQxAT

Le RQxAT à canal P de ROHM Semiconductor  est doté d'un boîtiermonté en surface avec une faible résistance à l'état passant et est testé à 100 % Rg et UIS. Ces MOSFET à canal P offrent une tension grille-source de ±20 V. Les MOSFET RQ3N025AT et RQ5L030AT offrent, respectivement, unerésistance drain-source à l'état passant maximale de de 240 mΩ et de 99 mΩ . Ces MOSFET à canal P sont conformes à la directive RoHS et sans halogène. Les MOSFET RQ3N025AT et RQ5L030AT offrent, respectivement, une tension drain-source de -80 V et de -60 V. Ces MOSFET à canal P fonctionnent dans la plage de température de -55°C à 150°C. Les applications typiques comprennent la commutation et les entraînements à moteur.