CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
35011/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
22703/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 111 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 13 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 40 C + 150 C 103 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 240
Mult. : 240

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 54 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube