IGBT demi-pont

Les IGBT demi-pont de Vishay Semiconductors disposent d'une technologie à tranchée IGBT et d'un courant nominal de 100 A, 150 A et 200 A. Ces IGBT ont de faibles pertes de conduction, une faible réduction thermique jonction-boîtier et un montage direct sur une conception de dissipateur thermique. Les IGBT demi-pont offrent des diodes antiparallèles FRED Pt® de 4e génération dotées de caractéristiques de récupération inverse ultra-douces. Les IGBT demi-pont   de Vishay Semiconductors sont optimisés pour les étages de convertisseurs à courant élevé, tels que les machines de soudage TIG CA.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Vishay Semiconductors Modules IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Modules IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Fiche technique
13En stock
1526/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Modules IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Fiche technique
17En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Modules IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Fiche technique
12En stock
1521/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Modules IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Fiche technique
1524/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk