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IXFH46N65X2W

Name: IXYS IXFH46N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH46N65X2W
Price: 8.88 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFH46N65X2W

N° de fab. :

IXFH46N65X2W

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IXFH46N65X2W Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,88 €	8,88 €
	5,32 €	53,20 €
	4,52 €	542,40 €
	4,34 €	4.426,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	46 A
Rds On - Résistance drain-source:	69 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.5 V
Qg - Charge de grille:	90 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	660 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	24 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	53 ns
Délai d'activation standard:	28 ns

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Fiche technique

IXFH46N65X2W Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

IXYS IXFH46N65X2W Power MOSFET is a 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET developed using the charge compensation principle and proprietary process technology. This N-channel power MOSFET exhibits low on-state resistance and low gate charges, along with superior dv/dt performance. The IXFH46N65X2W MOSFET features high power density, and the avalanche capability enhances the device's ruggedness. In addition to the fast soft-recovery body diode, the ultra-junction MOSFET helps to reduce switching losses and Electro-Magnetic Interference (EMI). The IXFH46N65X2W MOSFET is used in switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics, and servo control applications.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.