FET UF4C/SC SiC Gen 4 1 200 V

Les FET SiC UF4C/SC 1 200 V Gén 4 d’Onsemi  constituent une série haute performance offrant les meilleurs facteurs de mérite du marché. Les FET SiC UF4C/SC 1 200 V Gén 4 sont idéaux pour les architectures de bus classiques de 800 V dans les chargeurs embarqués pour les véhicules électriques, les chargeurs de batterie industriels, les fournisseurs d'alimentation industrielle, le CC-CC dans le solaire, les machines de soudage, les onduleurs et les applications de chauffage à induction. Disponible en options 23 mΩ à 70 mΩ, la série Gen 4 est basée sur une configuration en cascade unique, où un JFET SiC haute performance est co-emballé avec un Si-MOSFET optimisé en cascade pour produire un dispositif SiC pilote de grille standard. Cette caractéristique permet une conception flexible sans changer la tension de commande de grille, remplaçant facilement les IGBT Si, FET Si, FET SiC ou dispositifs à super-jonction Si.