Canal double à petit signal MOSFET

Les MOSFET à canal double à petit signal   ROHM Semiconductor présentent une faible résistance et une commutation rapide. Ces MOSFET sont conforme à la directive RoHS et incluent un placage sans Pb. Les MOSFET à canal double fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à 150 °C. Ces MOSFET sont utilisés dans les entraînements à moteur et les applications de commutation.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET WLCSP 2NCH 30V 20A
Fiche technique
2.601En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT WLCSP-22 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A 3 mOhms - 2 V, 10 V 2 V 29 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSOP8 150V DUAL 18.5A
Fiche technique
2.229En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 150 V 18.5 A 62 mOhms 24 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 150V DUAL 7.A
Fiche technique
2.400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 150 V 7 A 214 mOhms 20 V 4 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 NPCH 40V 12A
Fiche technique
2.691En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V, 40 V 12 A, 15 A 47 mOhms, 56 mOhms 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.5 nC, 16.7 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 NPCH 60V 10A
Fiche technique
2.678En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V, 60 V 10 A, 11.5 A 90 mOhms, 109 mOhms 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.1 nC, 17.1 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 800V N CH 3.5A
Fiche technique
600En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 30 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 800V N CH 19A
Fiche technique
600En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19 A 265 mOhms 30 V 4.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET HSOP8 N-CH 30V 155A
Fiche technique
2.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 155 A 2.16 mOhms 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 NPCH 80V 3.5A
Fiche technique
2.400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 80 V, 80 V 9 A, 8.5 A 112 mOhms, 191 mOhms 20 V, 20 V 4 V, 4 V 3.1 nC, 17.2 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 P-CH 80V 30A
Fiche technique
1.743En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 80 V 30 A 64 mOhms 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 P-CH 80V 4.5A
Fiche technique
2.250En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 80 V 4.5 A 750 mOhms 20 V 4 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET SOP8 NPCH 80V 3A
Fiche technique
2.50020/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 80 V, 80 V 3.5 A, 3 A 116 mOhms, 193 mOhms 20 V, 20 V 4 V, 4 V 3.1 nC, 17.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape