FDMS4D5N08LC

onsemi
863-FDMS4D5N08LC
FDMS4D5N08LC

Fab. :

Description :
MOSFET 80V 116A 4.2mOhm

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 960

Stock:
960
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
3.000
27/02/2026 attendu
Délai usine :
21
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,65 € 2,65 €
1,87 € 18,70 €
1,38 € 138,00 €
1,22 € 610,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,04 € 3.120,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
80 V
116 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
113.6 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 17 ns
Transconductance directe - min.: 135 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 19 ns
Série: FDMS4D5N08LC
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 59 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
Poids de l''unité: 122,136 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET

onsemi FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with a soft body diode.