MOSFET de puissance FDmesh II Plus™ à canal N STx24N60DM2

Les MOSFET de puissance FDmesh II Plus™ à canal N STx24N60DM2 STMicroelectronics  sont produits grâce à une nouvelle génération de technologie MDmesh™ : MDmesh II Plus™ à faible Qg. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à un tracé en bande pour atteindre un faible niveau de résistance en fonctionnement et de charge de grille. Ils conviennent aux convertisseurs exigeant un haut rendement et sont idéaux pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
Fiche technique
83En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
Fiche technique
1.411En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.5 A 1.38 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
Fiche technique
309En stock
2.00016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 370 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
Fiche technique
136En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 299 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
Fiche technique
836En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 310 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
Fiche technique
457En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
Fiche technique
325En stock
1.00012/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packa
Fiche technique
562En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
Fiche technique
721En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 370 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Fiche technique
10En stock
1.00013/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
Fiche technique
485En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 200 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Fiche technique
299En stock
60018/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Fiche technique
2.00023/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 440 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 140 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 35 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Fiche technique
Délai de livraison 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube