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RQ3G120BKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BKFRATCB
Price: 0.83 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RQ3G120BKFRATCB

N° de fab. :

RQ3G120BKFRATCB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET HSMT8 N CHAN 40V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RQ3G120BKFRATCB Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,834 €	0,83 €
	0,521 €	5,21 €
	0,424 €	42,40 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,361 €	1.083,00 €
	0,357 €	2.142,00 €
	0,353 €	8.472,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	17.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	8.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	7 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

Le MOSFET de puissance canal N 40 V RQ3G120BKFRA de ROHM Semiconductor est un MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source de 40 V (V_DSS) et un courant de drain continu de ±12 A (I_D), qui est qualifié AEC-Q101. La résistance à l’état passant drain-source [R_DS(ON)] est de 17,4 mΩ (max.) (V_GS = 10 V, I_D = 12 A) et est fournie dans un boîtier HSMT8AG de 3,3 mm x 3,3 mm. Le MOSFET RQ3G120BKFRA de ROHM Semiconductor est idéal pour les applications de système d’aide à la conduite (ADAS), d’information, d’éclairage et de carrosserie.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.