Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NVMFS5830NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5830NLWFT1G-UM
Price: 2.55 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-FS5830NLWFT1G-UM

N° de fab. :

NVMFS5830NLWFT1G-UM

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFS5830NLWFT1G-UM Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM

Disponibilité

Stock:: 0

Vous pouvez toujours acheter ce produit pour une commande de réassortiment.

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 1.500

10/04/2026 attendu
Délai usine :: 40

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,55 €	2,55 €
	1,65 €	16,50 €
	1,22 €	122,00 €
	1,02 €	510,00 €
	0,877 €	877,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,877 €	1.315,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	185 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Qg - Charge de grille:	113 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	158 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	27 ns
Transconductance directe - min.:	38 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	32 ns
Série:	NVMFS5830NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	22 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NVMFS5830NLWFT1G-UM Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

Le MOSFET de puissance à canal N unique NVMFS5830NL d'onsemi est un MOSFET de puissance à haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation. Utilisant une technologie à tranchées d’avant-garde, le NVMFS5830NL d’onsemi affiche une R_DS(on) remarquablement faible (2,3 mΩ à V_GS = 10 V), ce qui rend ce MOSFET idéal pour minimiser les pertes de conduction dans des systèmes à courant élevé. Le boîtier de 5 mm x 6 mm x 1 mm à fil plat SO-8FL améliore les performances thermiques et l'efficacité de l'espace sur la carte, tandis que la faible charge de grille et les caractéristiques de commutation rapide contribuent à une meilleure efficacité globale du système. Une option de flanc mouillable est disponible pour une inspection optique améliorée. Grâce à la combinaison d'une capacité de courant élevé, de faibles pertes de commutation et d'une empreinte compacte, le NVMFS5830NL est parfaitement adapté pour une utilisation dans les applications de contrôle de moteur et les commutateurs de charge côté haut/côté bas.