MOSFET de puissance RF DE150

Les MOSFET de puissance RF DE150 d'IXYS offrent une haute densité de puissance et sont fabriqués à l'aide du processus faible Q_g avancé de Littelfuse. Ces MOSFET à canal N et à mode d'amélioration sont disponibles en deux variantes. Le DE150-102N02A présente une tension de rupture de 1 000 V, une résistance à l'état passant de 9,4 Ω maximum, une tension de seuil de grille de 2,5 V à 4,5 V et une commutation à haute vitesse à des fréquences pouvant atteindre 30 MHz. Le DE150-501N04A offre une tension de rupture de 500 V, une résistance à l'état passant de 1,5 Ω maximum, une tension de seuil de grille de 2,5 V à 4 V et une commutation à haute vitesse jusqu'à des fréquences supérieures à 100 MHz. Les deux types sont livrés dans un boîtier d'alimentation CMS plat 6 fils qui intègre un tampon inférieur isolé électriquement pour permettre une dissipation thermique efficace. Le boîtier est conçu pour un montage facile, et aucun isolateur n'est nécessaire. Les MOSFET de puissance RF DE150 d'IXYS sont sans plomb, conformes à la directive RoHS et offrent une température de jonction virtuelle maximum de +125 °C.