Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

ML22660TBZ0BX

Name: ROHM Semiconductor ML22660TBZ0BX
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-ML22660TBZ0BX
Price: 6.11 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-ML22660TBZ0BX

N° de fab. :

ML22660TBZ0BX

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Circuits de communication intégrés - Différents types External Memory - Internal AB-class/D-class Speaker Amplifier Type

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

ML22660TBZ0BX Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor ML22660TBZ0BX

En stock: 689

Stock:: 689 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Les quantités supérieures à 689 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,11 €	6,11 €
	4,75 €	47,50 €
	4,21 €	105,25 €
	3,97 €	397,00 €
	3,38 €	845,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
1.000	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Circuits de communication intégrés - Différents types
RoHS:
Produit:	Speech Synthesizers
Tension d'alimentation de fonctionnement:	2.7 V to 5.5 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	55 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TQFP-32
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Fréquence:	4 MHz, 4.096 MHz
Type d'interface:	12C, Serial
Sensibles à l’humidité:	Yes
Nombre de canaux:	4 Channel
Type de produit:	Communication ICs - Various
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Communication & Networking ICs
Tension d’alimentation - Max.:	5.5 V
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrer les documents:

Fiche technique

ML22660TBZ0BX Fiche technique

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

LSI de synthèse vocale 4 canaux ML22660 LAPIS

La LSI (intégration à grande échelle) de synthèse vocale de mixage à 4 canaux LAPIS ML22660 de ROHM Semiconductor est conçue pour ajouter facilement une fonctionnalité vocale d'excellente qualité à pratiquement n'importe quelle application. Le ML22660 intègre la technologie de compression HQ-ADPCM, un convertisseur numérique-analogique (CNA) de 16 bits et un filtre passe-bas pour obtenir une qualité sonore élevée, ainsi qu'un amplificateur de haut-parleur monaural intégré de 1,0 W qui permet de piloter directement les haut-parleurs. Le ML22660 de ROHM Semiconductor intègre également une interface de mémoire flash en série, qui prend en charge une mémoire flash en série jusqu'à 128 Mo pour une lecture plus longue.