MOSFET de puissance à canal N R60/R65

Les MOSFET de puissance à canal N R60/R65 de ROHM Semiconductor fournissent une sortie mono-canal avec une tension drain-source 600 V ou 650 V dans des boîtiers TO-220FM-3/SOT-223-3. Les MOSFET R60/R65 ont une température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C/155 °C et des options de dissipation de puissance de 7,8 W, 6,6 W, 12,3 W 9,1 W, 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W ou 86 W. Les MOSFET de puissance à canal N R60/R65 sont idéaux pour les applications de commutation.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 258A N-CH MOSFET
Fiche technique
553En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Fiche technique
600En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 7A N-CH MOSFET
Fiche technique
5.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 9A N-CH MOSFET
Fiche technique
4.949En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 60A N-CH MOSFET
Fiche technique
60022/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 11A N-CH MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube