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SCT3030ARC15

Name: ROHM Semiconductor SCT3030ARC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030ARC15
Price: 18.89 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

755-SCT3030ARC15

N° de fab. :

SCT3030ARC15

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT3030ARC15 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	18,89 €	18,89 €
	15,45 €	154,50 €
	13,66 €	1.366,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	70 A
Rds On - Résistance drain-source:	39 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	104 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	262 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	25 ns
Transconductance directe - min.:	9.4 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	26 ns
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	6 ns

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Fiche technique

SCT3030ARC15 Fiche technique

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC à canal N

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de ROHM Semiconductor disposent d’un courant de queue sans courant pendant la commutation, ce qui permet un fonctionnement plus rapide et une perte de commutation réduite. Leur faible résistance à l’état passant et leur taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Ces MOSFET de puissance SiC de ROHM présentent une augmentation minimale de la résistance en marche et fournissent une plus grande miniaturisation du boîtier. Cela permet d’économiser plus d’énergie que les composants Si standard, dans lesquels la résistance à l'état passant peut plus que doubler avec une température accrue.