Diodes de protection DES DF2BxM4ASL

Les diodes de protection DES DF2BxM4ASL de Toshiba protègent les dispositifs à semiconducteurs tels que les interfaces de dispositifs mobiles et d'autres applications de l'électricité statique et du bruit. Ces diodes de protection DES utilisent des caractéristiques de retour et fournissent une faible résistance dynamique et des performances de protection supérieures. Les diodes DF2BxM4ASL optimisent l'application de signal haute vitesse pour des performances de faible capacité. Ces diodes de protection DES sont stockées sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. Les diodes DF2BxM4ASL fonctionnent à une température de jonction de 150 °C, une puissance d'impulsion de crête de 30 W et un courant d'impulsion de crête de 2 A. Les applications standard comprennent les smartphones, les tablettes, les ordinateurs portables et les ordinateurs de bureau.