Module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2SG

Le module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2SG  onsemi est un module Boost symétrique à trois canaux. Chaque canal contient deux IGBT 1 000 V, 200 A et deux diodes SiC 1 200 V, 60 A. Le module contient également une thermistance NTC. Les applications comprennent les onduleurs solaires et les systèmes d’alimentation sans interruption.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
onsemi Modules IGBT MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN
Fiche technique
36En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Single 1 kV 1.69 V 1 uA 187.5 mW PIM-44 - 40 C + 150 C Tray


onsemi Modules IGBT MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Fiche technique
35En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si/SiC Hybrid Modules Triple 1 kV 1.69 V 192 A 1 uA 511 W - 40 C + 175 C Tray