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2N7002KS6-T

Name: Rectron 2N7002KS6-T
Brand: Rectron
SKU: 583-2N7002KS6-T
Price: 0.36 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

583-2N7002KS6-T

N° de fab. :

2N7002KS6-T

Fab. :

Rectron

Description :

MOSFET

Fiche technique:

2N7002KS6-T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Rectron
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT363-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	250 mA
Rds On - Résistance drain-source:	5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	1.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	350 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Rectron
Configuration:	Dual
Transconductance directe - min.:	80 ms
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	11 ns
Délai d'activation standard:	7.5 ns

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Fiche technique

2N7002KS6-T Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

2N7002KS6 Double N-Channel MOSFET

Rectron 2N7002KS6 Double N-Channel MOSFET features a sensitive gate trigger current and low holding current. This ESD-protected diode has an ESD rating of 2200V HBM. It is intended for use in general-purpose switching and phase control applications.

PRODUITS PRÉSENTÉS

RECTRON

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge.

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON).

RM3134 Dual N-Channel MOSFET

Lead-free product housed in a surface mount package.

RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

Features Super Trench technology optimized for efficient high-frequency switching performance.

RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features advanced Trench technology and design to provide excellent R_DS(ON) and a low gate charge.

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,367 €	0,37 €
	0,255 €	2,55 €
	0,161 €	16,10 €
	0,102 €	51,00 €
	0,089 €	89,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,078 €	234,00 €
	0,066 €	396,00 €
	0,058 €	522,00 €
	0,043 €	1.032,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

2N7002KS6-T

Fab. : Rectron

Description : MOSFET

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Produit et conformité commerciale

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2N7002KS6 Double N-Channel MOSFET

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