BM61S41RFV-EVK002

ROHM Semiconductor
755-BM61S41RFVEVK002
BM61S41RFV-EVK002

Fab. :

Description :
Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation BM61S41RFV-C Evaluation Board

En stock: 7

Stock:
7 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
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21,40 € 21,40 €

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ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
4.5 V
16 V
BM61S41RFV-C
Marque: ROHM Semiconductor
Conditionnement: Bulk
Type de produit: Power Management IC Development Tools
Nombre de pièces de l'usine: 1
Sous-catégorie: Development Tools
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
9030820000
CAHTS:
9030820000
USHTS:
9030820000
KRHTS:
9030820000
MXHTS:
9030820100
ECCN:
EAR99

Carte d'évaluation BM61S41RFV-EVK002

La carte d’évaluation BM61S41RFV-EVK002 de ROHM Semiconductor pilote deux dispositifs d’alimentation SiC et est conçue pour évaluer un pilote BM61S41RFV-C. Le CI BM61S41RFV-C est un pilote de grille avec une tension d’isolation de 3 750 Vrms. Le CI BM61S40RFV-C intègre le verrouillage de sous-tension (UVLO) et la fonction de pince Miller active. La carte d’évaluation BM61S41RFV-EVK002 de ROHM Semiconductor fournit une alimentation côté entrée de 4,5 V à 5,5 V et une tension d’alimentation côté sortie de 16 V à 24 V.

Cartes d'évaluation de pilote de grille automobile

Les cartes d’évaluation de pilote de grille automobile de ROHM Semiconductor  sont des cartes de démonstration conçues pour faciliter le développement d’applications basées sur les pilotes de grille automobile ROHM. Les pilotes de grille automobile de ROHM Semiconductor  sont basés sur un processus de microfabrication unique pour construire un transformateur sans noyau sur puce. Cette technologie se traduit par des pilotes de grille isolés compacts, robustes et fiables, optimisés pour une utilisation avec les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) fournissant une solution optimisée pour les conceptions de circuits de puissance dans les applications industrielles et automobiles.