DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance RDS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
Fiche technique
3.850En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Fiche technique
3.373En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
Fiche technique
1.900En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A
Fiche technique
1.043En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
Fiche technique
1.357En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
Fiche technique
117En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Fiche technique
751En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
Fiche technique
177En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
Fiche technique
Non stocké
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 25 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube