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MMFTP2319

Name: Diotec Semiconductor MMFTP2319
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP2319
Price: 0.52 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

637-MMFTP2319

N° de fab. :

MMFTP2319

Fab. :

Diotec Semiconductor

Description :

MOSFET MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Fiche technique:

MMFTP2319 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,525 €	0,53 €
	0,371 €	3,71 €
	0,259 €	25,90 €
	0,227 €	113,50 €
	0,211 €	211,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,156 €	468,00 €
	0,116 €	1.044,00 €
	0,113 €	2.712,00 €
	0,086 €	3.870,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diotec Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	4.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	20 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	750 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diotec Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Série:	MMFTN/P
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	15 ns

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Fiche technique

MMFTP2319 Fiche technique (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.