FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

Les FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 de Nexperia sont des dispositifs e-mode normalement éteints à usage général qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nexperia FET GaN GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Fiche technique
1.951En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT VQFN-7 P-Channel 1 Channel 100 V 100 A 1.8 mOhms 6 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Fiche technique
1.334En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

SMD/SMT WLCSP-22 P-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.7 mOhms 5.5 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 470 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Fiche technique
1.062En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

SMD/SMT VQFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 7 mOhms 6 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C 182 W Enhancement