MOSFET de puissance X4-Class

Les MOSFET de puissance  X4-Class d'IXYS offrent une faible résistance à l'état passant et de faibles pertes de conduction, avec une efficacité améliorée. Ces MOSFET de puissance sont disponibles dans un boîtier PLUS, permettant un courant nominal plus élevé et une densité de puissance accrue. Les MOSFET de puissance X4-Class sont compatibles broche à broche avec le boîtier standard TO-247 et sont faciles à mettre à niveau à partir des conceptions existantes pour une puissance de sortie plus élevée. Ces MOSFET de puissance présentent une faible charge de grille et une faible résistance thermique. Les applications typiques comprennent les commutateurs de charge CC, la protection des batteries, les joints toriques de batterie, les systèmes de stockage d'énergie par batterie et les convertisseurs Buck-Boost CC/CC.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
IXYS MOSFET 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264
600Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 2.65 mOhms 20 V 4.5 V 535 nC - 55 C + 175 C 1.56 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
600Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 3.3 mOhms 20 V 4.5 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.36 kW Enhancement Tube