Redresseurs d'entrée triphasés PIM 1 200 V

Les redresseurs d'entrée triphasés PIM 1 200 V d'Infineon Technologies sont des modules IGBT PIM triphasés 1 200 V, 100 A EconoPIM™ 2. Les redresseurs disposent d'un IGBT7 TRENCHSTOP™, d'une diode 7 contrôlée par émetteur et d'un NTC.Le PIM (modules de puissance intégrés) avec l'intégration du redresseur et du hacheur de freinage permet des économies de coûts système. 

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Technologie
Conditionnement
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Fiche technique
33En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies Modules IGBT LOW POWER ECONO
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 15
Mult. : 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 15
Mult. : 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 15
Mult. : 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray