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NTBS9D0N10MC

Name: onsemi NTBS9D0N10MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBS9D0N10MC
Price: 3.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBS9D0N10MC

N° de fab. :

NTBS9D0N10MC

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L

Fiche technique:

NTBS9D0N10MC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,11 €	3,11 €
	2,04 €	20,40 €
	1,43 €	143,00 €
	1,17 €	585,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	1,17 €	936,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	23 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	68 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTBS9D0N10MC
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	360 mg

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Fiche technique

NTBS9D0N10MC Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET monocanal N NTBS9D0N10MC

Le MOSFET monocanal N NTBS9D0N10MC onsemi dispose d'une faible résistance drain-source R_DS(ON) qui réduit au minimum les pertes de conduction. Ce MOSFET permet d'obtenir une charge de grille (Q_G) et capacité totales faibles qui minimise les pertes de pilote. Le MOSFET NTBS9D0N10MC Onsemi réduit le bruit de commutation/brouillage électromagnétique (EMI). Ce MOSFET dispose d'une tension drain-to-source de 100 V (V_DSS) et d'un courant de drain continu de 60 A maximum (I_D). Les applications typiques comprennent les outils électriques, les aspirateurs alimentés par batterie, les véhicules aériens sans pilote (UAV)/drones, la manipulation des matériaux, les systèmes de gestion de batterie (BMS)/stockage et la domotique.