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RFN10BGE3STL

Name: ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN10BGE3STL
Price: 1.16 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RFN10BGE3STL

N° de fab. :

RFN10BGE3STL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Redresseurs RECT 350V 10A SM SUPER FST

Fiche technique:

RFN10BGE3STL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,16 €	1,16 €
	0,739 €	7,39 €
	0,622 €	62,20 €
	0,49 €	245,00 €
	0,448 €	448,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,418 €	1.045,00 €
	0,413 €	2.065,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Redresseurs
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252GE-3
Vr - Tension inverse:	350 V
If - Courant direct:	10 A
Type:	Super Fast Recovery Diode
Configuration:	Single
Vf - Tension directe:	1.5 V
Courant de surtension max.:	80 A
Ir - Courant inverse:	10 uA
Délai de reprise:	30 ns
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Produit:	Rectifiers
Type de produit:	Rectifiers
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Raccourcis pour l'article N°:	RFN10BGE3S

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Fiche technique

RFN10BGE3STL Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-07-15 (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diode à récupération ultra-rapide RFN10BGE3STL

La diode à récupération ultra-rapide RFN10BGE3STL de ROHM Semiconductor dispose d'une construction planaire épitaxiale en silicium avec une capacité de surcharge de courant élevée et une faible perte de commutation. Cette diode de récupération ultra-rapide est stockée sur une plage de température de -55 °C à +150 °C et offre une tension inverse de crête répétitive de 350 V. La diode RFN10BGE3STL fonctionne à un courant direct rectifié moyen de 10 A, une tension directe maximale de 1,5 V, un courant inverse maximal de 10 μA et une température de jonction de 150 °C. Cette diode est idéale pour une utilisation dans le redressement général.