Transistors 750 W QPD1028 et QPD1028L au GaN sur carbure de silicium (SiC)

Les transistors GaN sur SiC QPD1028 et QPD1028L 750 W de Qorvo  sont des transistors discrets à haute mobilité d’électrons (HEMT) au nitrure de Gallium    sur carbure de silicium (SiC) fonctionnant entre 1,2 GHz et 1,4 GHz. Ces composants fournissent 59 dBm de puissance de sortie saturée, avec 18 dB de gain des signaux forts et 70 % de rendement de drain. Les transistors QPD1028 et QPD1028L sont préadaptés en interne pour améliorer leurs performances et peuvent fonctionner en mode onde entretenue (CW) comme en mode pulsé.