NX5020x FET à mode d’amélioration à canal N

Les transistors à effet de champ (FET) à mode d’amélioration à canal N NX5020x de Nexperia sont disponibles dans un boîtier compact SOT-323 (SC-70) ou TSSOP-6 (SOT-363). Le NX5020UNBKW de Nexperia est un FET simple, tandis que le NX5020UNBKS est un FET double. Ces dispositifs ont une tension de seuil très basse et offrent une commutation extrêmement rapide grâce à la technologie MOSFET à tranchée. Les deux variantes sont des dispositifs montés en surface (CMS) dans un boîtier en plastique.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Nexperia MOSFET NX5020UNBKS/SOT363/SC-88
Fiche technique
2.304En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 50 V 480 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET NX5020UNBKW/SOT323/SC-70
Fiche technique
2.009En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 50 V 480 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel