Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

CGHV31500F1

Name: MACOM CGHV31500F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV31500F1
Price: 1068.63 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

941-CGHV31500F1

N° de fab. :

CGHV31500F1

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange

Fiche technique:

CGHV31500F1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de MACOM CGHV31500F1

Notification d'expédition :

Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.

En stock: 49

Stock:: 49 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Les quantités supérieures à 49 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1.068,63 €	1.068,63 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:	N
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440226-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	500 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 75 C
Pd - Dissipation d’énergie :	418 W
Marque:	MACOM
Tension drain-porte max.:	- 2.7 V
Fréquence de fonctionnement max.:	3.1 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	2.7 GHz
Alimentation en sortie:	500 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

CGHV31500F1 Fiche technique (PDF)

PCN

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.2

HEMT GaN 500 W, 2,7 GHz à 3,1 GHz CGHV31500F1

L'HEMT GaN 500 W, 2,7 GHz à 3,1 GHz CGHV31500F1 de Wolfspeed offre une haute efficacité et un gain élevé conçus explicitement pour la bande radar S de 2,7 GHz à 3,1 GHz. Le transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) fournit une capacité d'impulsion étendue pour répondre aux tendances en développement dans les architectures radar.