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AIKQ120N75CP2XKSA1

Name: Infineon AIKQ120N75CP2XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIKQ120N75CP2XKS
Price: 8.76 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-AIKQ120N75CP2XKS

N° de fab. :

AIKQ120N75CP2XKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs DISCRETE SWITCHES

Fiche technique:

AIKQ120N75CP2XKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,76 €	8,76 €
	6,29 €	62,90 €
	5,56 €	556,00 €
	5,30 €	2.544,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	750 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.3 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	150 A
Pd - Dissipation d’énergie :	682 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	IGBTs
Raccourcis pour l'article N°:	AIKQ120N75CP2 SP005416548

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT EDT2™ Duo Pack AIKQ120N75CP2

L'IGBT EDT2™ Duo Pack AIKQ120N75CP2 d'Infineon Technologies dispose d'une capacité de tension de blocage collecteur-émetteur de 750 V. L'AIKQ120N75CP2 dispose de caractéristiques de commutation fluides, d'un VCE(sat) très faible, de 1,30 V (std) et d'une distribution très étroite des paramètres. Le composant dispose également d'un QG à faible charge de grille et est co-emballé avec un émetteur à récupération progressive rapide contrôlé par 3 diodes.