Silicon Carbide (SiC) Devices

IXYS Silicon Carbide (SiC) Devices are ideal for applications where improvements in efficiency, reliability, and thermal management are desired. IXYS focuses on developing the most reliable Silicon Carbide Semiconductor Devices available.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Configuration If - Courant direct Vrrm - Tension inverse répétitive Vf - Tension directe Ifsm - Courant de surtension direct Ir - Courant inverse Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
IXYS Diodes Schottky SiC Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc 90En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 105 A 1.2 kV 1.6 V 1.15 kA 140 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS Diodes Schottky SiC Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc 5En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 44 A 1.2 kV 1.5 V 1.15 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS Diodes Schottky SiC Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247 Non stocké
Min. : 30
Mult. : 30

Through Hole ISO247-3 Series 22 A 1.2 kV 1.5 V 750 A 30 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS Diodes Schottky SiC Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247 Non stocké
Min. : 30
Mult. : 30

Through Hole ISO247-3 Series 31.7 A 1.2 kV 1.5 V 1 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS Diodes Schottky SiC Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247 Non stocké
Min. : 30
Mult. : 30

Through Hole ISO247-3 Dual Anode Common Cathode 22 A 1.2 kV 1.5 V 750 A 30 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS Diodes Schottky SiC Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247 Non stocké
Min. : 30
Mult. : 30

Through Hole ISO247-3 Dual Anode Common Cathode 31.7 A 1.2 kV 1.5 V 1 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS Diodes Schottky SiC Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc Non stocké
Min. : 100
Mult. : 100

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 73 A 1.2 kV 1.5 V 1.15 kA 70 uA - 40 C + 150 C Tube