BAT46LS-QYL

Nexperia
771-BAT46LS-QYL
BAT46LS-QYL

Fab. :

Description :
Diodes et redresseurs Schottky RECT 100V .25A SM SCHOTTKY

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
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0,139 € 1,39 €
0,132 € 6,60 €
0,088 € 8,80 €
0,065 € 32,50 €
0,051 € 51,00 €
0,044 € 220,00 €
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0,044 € 440,00 €
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Nexperia
Catégorie du produit: Diodes et redresseurs Schottky
RoHS:  
Schottky Diodes
SMD/SMT
SOD-882BD-2
Single
Si
250 mA
100 V
1.35 V
2.5 A
9 uA
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Nexperia
Pd - Dissipation d’énergie : 335 mW
Type de produit: Schottky Diodes & Rectifiers
Nombre de pièces de l'usine: 10000
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse: 100 V
Raccourcis pour l'article N°: 934663989315
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100070
KRHTS:
8541109000
ECCN:
EAR99

Diode Schottky à usage général BAT46LS-Q

La diode Schottky à usage général BAT46LS-Q de Nexperia est fournie dans un petit boîtier plastique DFN1006BD-2 (SOD882BD) à montage en surface (CMS) sans plomb avec flancs mouillables. La diode Schottky BAT46LS-Q dispose d'une tension inverse VR ≤ 100 V, d'un faible courant de fuite, d'une faible capacité et d'un courant direct de 250 mA. Cette diode Schottky est adaptée à l'inspection optique automatique (AOI) des joints de brasure. Les applications typiques comprennent la commutation à haute vitesse, le serrage de tension, la terminaison de ligne et la protection contre la polarité inverse.

diodes et transistors DFN automobiles

Les diodes et transistors DFN automobiles Nexperia sont conçus avec des flancs mouillables latéraux pour les diodes et transistors automobiles légers et petits. Les flancs mouillables latéraux (SWF) pour le boîtier DFN améliorent les forces de cisaillement et les capacités de courbure de carte et permettent également d’inspecter les joints de brasage visibles après le brasage. Les boîtiers DFN automobiles offrent d’excellentes performances thermiques qui permettent un Ptot égal ou supérieur sur un encombrement DFN plus réduit. Ces diodes et transistors DFN disposent d’une haute dissipation de puissance, d’une faible température de fonctionnement, d’une haute fiabilité et de solides joints de brasage. Les applications standard incluent les diodes de commutation, Schottky, Zener et de protection, les Transistors de jonction bipolaires (BJTs), les MOSFET à canal N et P, les transistors équipés de résistances et les pilotes LED.