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STGWA30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2AG
Price: 3.67 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGWA30M65DF2AG

N° de fab. :

STGWA30M65DF2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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Fiche technique:

STGWA30M65DF2AG Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,67 €	3,67 €
	2,41 €	24,10 €
	1,80 €	216,00 €
	1,60 €	816,00 €
	1,37 €	1.397,40 €
	1,29 €	3.250,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.02 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	87 A
Pd - Dissipation d’énergie :	441 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	57 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBTs
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6,100 g

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Fiche technique

STGWA30M65DF2AG Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

L’IGBT de classe automobile STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics est conçu à l’aide d’une structure d’arrêt de champ et grille en tranchée exclusive avancée. Le STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics offre des performances système optimales et un équilibre de rendement pour les onduleurs, avec une faible perte et une fonctionnalité essentielle de court-circuit. Le composant est homologué AEC-Q101 et dispose d’une température de jonction maximale de +175 °C, d’un temps de tenue aux courts-circuits de 6 μs, d’une faible V_{CE (sat)} du 1,7 V à 30 A et d’une distribution étroite des paramètres. Le dispositif comprend également une diode antiparallèle à récupération rapide et douce et une faible résistance thermique. Il est disponible en boîtier TO-247 à fils longs.