EPC2305

65-EPC2305
EPC2305

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

Cycle de vie:
Nouveau chez Mouser
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Stock:
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Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
7,01 € 7,01 €
4,82 € 48,20 €
3,76 € 376,00 €
3,53 € 3.530,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
3,19 € 9.570,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
150 V
133 A
2.2 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
22 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Single
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 31,200 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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