Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C

Le transistor NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C de Diodes Incorporated dispose d'une structure propriétaire pour atteindre une performance VCE(SAT) ultra-faible et des températures de fonctionnement plus basses, minimisant les besoins de gestion thermique et améliorant la fiabilité à long terme. Les caractéristiques techniques du DXTN69060C de Diodes Incorporated incluent une tension de rupture (BVCEO) supérieure à 60 V, un courant collecteur continu de 5,5 A et une tension de saturation faible inférieure à 45 mV à 1 A. Avec un courant élevé RCE(sat) standard à 24 mΩ, une caractérisation hFE jusqu'à 6 A, une dissipation d'énergie de 2 W et une commutation rapide avec un temps de stockage court, ce transistor est conçu pour une performance efficace et fiable dans les applications haute puissance.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Courant CC max. du collecteur
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Collecteur - Tension de base VCBO
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Produit gain-bande passante fT
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K
Fiche technique
923En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT SOT223-4 NPN Single 5.5 A 60 V 80 V 7 V 180 mV 2 W 200 MHz - 55 C + 150 C DXTN69060CE Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8 T&R 2K
Fiche technique
1.988En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 5.5 A 60 V 80 V 7 V 170 mV 2 W 200 MHz - 55 C + 150 C DXTN69060CFG Reel, Cut Tape