MOSFET à canal N PSMN6R1

Les MOSFET à canal N PSMN6R1 de Nexperia sont des MOSFET à canal N et double niveau logique logés dans un boîtier LFPAK56D (dual power-SO8). Les MOSFET Nexperia utilisent la technologie TrenchMOS. Les composants sont classés en avalanche répétitive et qualifiés jusqu'à 175 °C.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Nexperia MOSFET SOT205 2NCH 40V 40A
Fiche technique
237En stock
9.00008/02/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 7.2 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 40V 40A
Fiche technique
2.310En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel