MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Taille de la mémoire
Type d'interface
Fréquence de l'horloge max.
Organisation
Package/Boîte
Tension d’alimentation - Min.
Tension d’alimentation - Max.
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Qualification
Conditionnement

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500
Bobine: 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1.500
Mult. : 1.500
Bobine: 1.500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 1.500
Mult. : 1.500
Bobine: 1.500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) tube (125C)
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube