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STGHU30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGHU30M65DF2AG
Price: 4.05 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGHU30M65DF2AG

N° de fab. :

STGHU30M65DF2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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Cycle de vie:

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Fiche technique:

STGHU30M65DF2AG Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	HU3PAK-7
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	87 A
Pd - Dissipation d’énergie :	441 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	57 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBTs
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2,320 g

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PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Maroc
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG

L'IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG de STMicroelectronics est développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée. Le STGHU30M65DF2AG de STMicroelectronics offre un équilibre idéal entre performance système et efficacité du convertisseur, avec une faible perte de puissance et une protection contre les courts-circuits. Le coefficient de température V_CE(sat) positif et la distribution constante des paramètres améliorent un fonctionnement en parallèle sûr.

PRODUITS PRÉSENTÉS

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IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode

Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.

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IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG

Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.

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Stock:: 1.140 Expédition possible immédiatement

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Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,05 €	4,05 €
	2,67 €	26,70 €
	1,89 €	189,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)
	1,77 €	1.062,00 €
	1,64 €	1.968,00 €
	1,53 €	3.672,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

STGHU30M65DF2AG

Fab. : STMicroelectronics

Description : IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT Complétez votre conception

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