MOSFET de puissance IRL

Les MOSFET de puissance IRL de Vishay  offrent un équilibre optimal entre commutation rapide, conception robuste, faible résistance à l’état passant et rentabilité. Les MOSFET IRL de Vishay  sont disponibles en boîtiers SOT-223 et DPAK. Ces MOSFET prennent en charge le montage en surface par phase vapeur, infrarouge ou soudure à vague. Le boîtier SOT-223 dispose d’une languette élargie pour améliorer les performances thermiques, permettant une dissipation de puissance supérieure à 1,25 W, tandis que le boîtier DPAK permet une dissipation de puissance allant jusqu’à 1,5 W dans les applications typiques. Les séries IRLU et SiHLU proposent également une option à pattes droites pour un montage traversant.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement

Vishay / Siliconix MOSFET SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET 90.534En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU 5.328En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 30 Amp 1.186En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 28 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 66 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp 32.720En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU 5.900En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 2.937En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Non
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET 5.540En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 11.364En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 8A 162En stock
3.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 5En stock
18.00029/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 2.060En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET SOT223 N-CH 60V 2.7A
32.490Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
9.75005/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
9.13212/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non stocké
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non stocké
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
Bobine: 2.000
Non
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non stocké
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000
Non
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non stocké
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
Bobine: 2.000
Non
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp Non stocké
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000
Non
Si Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non stocké
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
Bobine: 2.000
Non
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Non
Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Non
Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU Non stocké
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Non
Si Through Hole TO-251-3 Tube