MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V

MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V de Diodes Incorporated fournit une faible résistance à l’état passant dans un boîtier compact et thermiquement efficace. Les dispositifs offrent une performance de commutation supérieure et sont idéaux pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement Les MOSFET DMT31M8LFVWQ de Diodes Inc. sont disponibles dans un boîtier PowerDI®3333-8 avec un flanc mouillable pour de meilleures inspections visuelles.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
Fiche technique
3.000En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 138 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel