SIA433EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA433EDJ-GE3
SIA433EDJ-T1-GE3

Fab. :

Description :
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Modèle de ECAO:
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En stock: 5.156

Stock:
5.156 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
5 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,576 € 0,58 €
0,525 € 5,25 €
0,353 € 35,30 €
0,296 € 148,00 €
0,254 € 254,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,229 € 687,00 €
0,21 € 1.260,00 €
0,202 € 1.818,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Vishay
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
15 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
75 nC
- 55 C
+ 150 C
19 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Temps de descente: 3.5 us
Transconductance directe - min.: 35 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 0.6 us
Série: SIA
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 10 us
Délai d'activation standard: 0.3 us
Raccourcis pour l'article N°: SIA433EDJ-GE3
Poids de l''unité: 41 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET TrenchFET®

Les MOFSET TrenchFET® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.

SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET offers low on-resistance and operates in a -55°C to +150°C temperature range. This power MOSFET is available in a single-configuration PowerPAK® SC-70 package size. The device provides an on-resistance rating that accommodates a wide range of applications. Other features include built-in ESD protection with a Zener diode. Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET is ideal for applications that include portable devices, load switches, battery switches, and charger switches.

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.