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BFR 193 E6327

Name: Infineon BFR 193 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR193E6327
Price: 0.11 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-BFR193E6327

N° de fab. :

BFR 193 E6327

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Transistors bipolaires RF NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

Fiche technique:

BFR 193 E6327 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires RF
RoHS:
Série:	BFR193
Type de transistor:	Bipolar
Technologie:	Si
Polarité du transistor:	NPN
Fréquence de fonctionnement:	8 GHz
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	70
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	12 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	2 V
Courant de collecteur continu :	80 mA
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Configuration:	Single
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Reel
Marque:	Infineon Technologies
Courant CC max. du collecteur:	80 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	580 mW
Type de produit:	RF Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	BFR193E6327XT SP000011056 BFR193E6327HTSA1
Poids de l''unité:	60 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Transistors RF Infineon

Les transistors RF Infineon comportent des transistors à haute linéarité et des amplificateurs à faible bruit. Les composants figurant dans la catégorie à faible bruit sont basés sur une technologie de silicium bipolaire. Une fréquence de transition modérée de fT < 20 GHz procure facilité d'utilisation et stabilité. La tension de rupture peut soutenir en toute sécurité une tension d'alimentation de 5 V. Ces transistors conviennent à une utilisation AM sur VHF/UHF, jusqu'à 14 GHz.

Transistors à haute linéarité fournissant un OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point, point d'intersection au 3e ordre en sortie) supérieur à 29 dBm. Ils sont basés sur les technologies SiGe:C et bipolaires de silicium en gros volume d'Infineon pour atteindre les meilleurs chiffres au niveau du bruit de leur catégorie. Ces composants sont idéaux pour les pilotes, pré-amplificateurs et amplificateurs à tampon.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.